Compare | Image | Name | Manufacturer | Pricing(USD) | Quantity | Weight(Kg) | Size(LxWxH) | Part Status | Type | Series | Mount | Mounting Type | Operating Temperature | Packaging | Size / Dimension | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Technology | Operating Mode | Input Type | RoHS Status | Published | Datasheet | Package / Case | Lead Free | Number of Terminations | Factory Lead Time | Weight | Number of Pins | Interface | Impedance | ECCN Code | Additional Feature | Radiation Hardening | HTS Code | Tolerance | Applications | Surface Mount | Max Power Dissipation | Voltage - Supply | Terminal Position | Terminal Form | Operating Temperature (Max) | Operating Temperature (Min) | Number of Channels | Element Configuration | Power Dissipation | Number of Elements | Subcategory | JESD-30 Code | Supplier Device Package | Memory Size | Max Output Voltage | Output Voltage | Oscillator Type | Number of I/O | Memory Type | Peripherals | RAM Size | Forward Current | Termination Style | Output Type | Circuit | Voltage - Input | Voltage - Load | Load Current | Max Input Current | Turn On Delay Time | Optoelectronic Device Type | Forward Current-Max | On-State Current-Max | Isolation Voltage-Max | Rise Time | Fall Time (Typ) | Turn-Off Delay Time | Continuous Drain Current (ID) | Gate to Source Voltage (Vgs) | Max Reverse Leakage Current | Zener Voltage | Logic Function | Transistor Element Material | Configuration | Case Connection | Transistor Application | Test Current | Function | Speed | Output Configuration | Fault Protection | Voltage - Isolation | Power - Max | Power Dissipation-Max | Reverse Breakdown Voltage | ESD Protection | Forward Voltage-Max | Voltage Tolerance | Collector Emitter Saturation Voltage | Collector Emitter Voltage (VCEO) | Max Collector Current | Voltage - Forward (Vf) (Typ) | Rise / Fall Time (Typ) | Current - DC Forward (If) (Max) | Output Current per Channel | Current Transfer Ratio | Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min | Current - Max | Current - Output / Channel | Voltage - Output (Max) | Speed - Read | Speed - Write | Drain Current-Max (Abs) (ID) | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | Drain-source On Resistance-Max | On-State Resistance (Max) | Dark Current-Max | Avalanche Energy Rating (Eas) | Impedance-Max | Current - Output | Drain to Source Breakdown Voltage | Voltage - Supply (Vcc/Vdd) | Program Memory Type | Core Size | Program Memory Size | Connectivity | Data Converter | Current Transfer Ratio (Min) | Current Transfer Ratio (Max) | Turn On / Turn Off Time (Typ) | Vce Saturation (Max) | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | Current - Collector (Ic) (Max) | FET Type | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | Load Type | Current - Reverse Leakage @ Vr | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | Motor Type - Stepper | Step Resolution | Motor Type - AC, DC | Current - Collector Cutoff (Max) | Transistor Type | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequency - Transition | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | Form Factor | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | Vgs (Max) | Resistor - Base (R1) | Resistor - Emitter Base (R2) | Mfr |
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TLP785(Y-LF6,F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Through Hole | -55°C~110°C | 1 (Unlimited) | DC | RoHS Compliant | 4-DIP (0.300, 7.62mm) | 1 | Transistor | 5000Vrms | 1.15V | 2μs 3μs | 60mA | 50mA | 80V | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPH3R203NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | U-MOSVIII-H | Surface Mount | Surface Mount | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1 (Unlimited) | MOSFET (Metal Oxide) | ENHANCEMENT MODE | RoHS Compliant | 2014 | /files/toshibasemiconductorandstorage-tph3r203nll1q-datasheets-1068.pdf | 8-PowerVDFN | 5 | 12 Weeks | 850.995985mg | 8 | EAR99 | No | DUAL | FLAT | 1 | Single | 1 | S-PDSO-F5 | 24 ns | 4.4ns | 5.7 ns | 11.5 ns | 47A | 20V | SILICON | DRAIN | SWITCHING | 1.6W Ta 44W Tc | 60A | 200A | 0.0047Ohm | 94 mJ | 30V | N-Channel | 2100pF @ 15V | 3.2m Ω @ 23.5A, 10V | 2.3V @ 300μA | 47A Tc | 21nC @ 10V | 4.5V 10V | ±20V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP331(BV-LF1,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | 1 (Unlimited) | UL RECOGNIZED | 8541.40.80.00 | 75°C | -25°C | 1 | TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER | 0.05A | 5000V | SINGLE | 200% | 55V | 100nA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP4590A(TP1,F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
- | Surface Mount | 6-SMD, Gull Wing | - | Gull Wing | - | SPST-NC (1 Form B) | 1.27VDC | 0 V ~ 60 V | 1.2 A | 600 mOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP785F(D4Y-T7,F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Through Hole | -55°C~110°C | Tape & Reel (TR) | 1 (Unlimited) | DC | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf | 4-DIP (0.400, 10.16mm) | 1 | Transistor | 5000Vrms | 1.15V | 2μs 3μs | 60mA | 50mA | 80V | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1910,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Automotive, AEC-Q101 | Surface Mount | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | US6 | 200mW | 50V | 100mA | 100nA (ICBO) | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 120 @ 1mA, 5V | 250MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 4.7kOhms | - | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP785F(YH-TP7,F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Surface Mount | -55°C~110°C | Tape & Reel (TR) | 1 (Unlimited) | DC | RoHS Compliant | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf | 4-SMD, Gull Wing | UL APPROVED | 1 | 1 | Transistor | 0.025A | SINGLE | 5000Vrms | 1.15V | 2μs 3μs | 60mA | 80V | 50mA | 80V | 75% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN4989,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
- | Surface Mount | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | US6 | 200mW | 50V | 100mA | 500nA | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 70 @ 10mA, 5V | 250MHz, 200MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 47kOhms | 22kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP781F(D4BL-TP7,F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Through Hole | Surface Mount | -55°C~110°C | Tape & Reel (TR) | 1 (Unlimited) | DC | RoHS Compliant | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-SMD, Gull Wing | 4 | 1 | 250mW | 60mA | Transistor | 5000Vrms | 5V | 80V | 1.15V | 2μs 3μs | 50mA | 200% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1905,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Automotive, AEC-Q101 | Surface Mount | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | US6 | 200mW | 50V | 100mA | 500nA | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 80 @ 10mA, 5V | 250MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 2.2kOhms | 47kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP627-4F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Through Hole | -55°C~100°C | Tube | 1 (Unlimited) | DC | RoHS Compliant | 2011 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp627f-datasheets-2493.pdf | 16-DIP (0.300, 7.62mm) | 16 Weeks | UL RECOGNIZED | NO | 4 | 4 | Optocoupler - Transistor Outputs | Darlington | 0.025A | 0.15A | 5000Vrms | 0.15W | 1.3V | 1.15V | 40μs 15μs | 50mA | 4000% | 300V | 150mA | 300V | 200nA | 1000% @ 1mA | 50μs, 15μs | 1.2V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN2407,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Automotive, AEC-Q101 | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | S-Mini | 200 mW | 50 V | 100 mA | 500nA | PNP - Pre-Biased | 80 @ 10mA, 5V | 200 MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 10 kOhms | 47 kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP624-2(F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Through Hole | Through Hole | -55°C~100°C | Tube | 1 (Unlimited) | DC | RoHS Compliant | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp6244f-datasheets-3551.pdf | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | Lead Free | 8 | No | 150mW | 150mW | 2 | 55V | 55V | 50mA | Transistor | 50mA | 8μs | 5000Vrms | 5V | 1.3V | 200mV | 55V | 50mA | 1.15V | 8μs 8μs | 50mA | 100% @ 1mA | 1200% @ 1mA | 10μs, 8μs | 400mV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1401,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Automotive, AEC-Q101 | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | S-Mini | 200 mW | 50 V | 100 mA | 500nA | NPN - Pre-Biased | 30 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 4.7 kOhms | 4.7 kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TMP86PM29BUG(C,JZ) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | TLCS-870/C | Surface Mount | -40°C~85°C TA | Tray | 3 (168 Hours) | 2003 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tmp86pm29bugcjz-datasheets-4902.pdf | 64-LQFP | 16 Weeks | 64-LQFP (10x10) | External | 39 | LCD, PWM, WDT | 1.5K x 8 | 16MHz | 1.8V~5.5V | OTP | 8-Bit | 32KB 32K x 8 | SIO, UART/USART | A/D 8x10b | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1908FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Automotive, AEC-Q101 | Surface Mount | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100mW | 50V | 100mA | 500nA | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 80 @ 10mA, 5V | 250MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 22kOhms | 47kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TB67Z800FTG,EL | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Surface Mount | -40°C~105°C TA | Tape & Reel (TR) | RoHS Compliant | 36-VFQFN Exposed Pad | 12 Weeks | Logic | General Purpose | 5.5V~22V | 5.5V~22V | Half Bridge (3) | Current Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO | 3A | Inductive, Capacitive | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN2416,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | S-Mini | 200 mW | 50 V | 100 mA | 500nA | PNP - Pre-Biased | 50 @ 10mA, 5V | 200 MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 4.7 kOhms | 10 kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMZ24(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | $0.43 |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Surface Mount | Surface Mount | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1 (Unlimited) | RoHS Compliant | SOD-128 | 12 Weeks | 2 | 30Ohm | ±10% | Single | 10μA | 24V | 10mA | 2W | No | 10% | 30Ohm | 10μA @ 17V | 1.2V @ 200mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN2104,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Surface Mount | SC-75, SOT-416 | SSM | 100 mW | 50 V | 100 mA | 500nA | PNP - Pre-Biased | 80 @ 10mA, 5V | 200 MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 47 kOhms | 47 kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CRZ18(TE85L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Surface Mount | Surface Mount | -40°C~150°C | Tape & Reel (TR) | 1 (Unlimited) | RoHS Compliant | 2009 | SOD-123F | 2 | 30Ohm | No | ±10% | 700mW | Single | 700mW | 10μA | 18V | 10% | 30Ohm | 10μA @ 13V | 1V @ 200mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN2412,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | S-Mini | 200 mW | 50 V | 100 mA | 100nA (ICBO) | PNP - Pre-Biased | 120 @ 1mA, 5V | 200 MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 22 kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TB6674PG,C,8 | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Through Hole | -30°C~75°C TA | Tube | 1 (Unlimited) | Power MOSFET | RoHS Compliant | /files/toshibasemiconductorandstorage-tb6674pgc8-datasheets-9512.pdf | 16-DIP (0.300, 7.62mm) | 14 Weeks | Parallel | General Purpose | 4.5V~5.5V | 2.7V~22V | Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage | Half Bridge (4) | 350mA | Bipolar | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1404,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Automotive, AEC-Q101 | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | S-Mini | 200 mW | 50 V | 100 mA | 500nA | NPN - Pre-Biased | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 47 kOhms | 47 kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TB62218AFG,C8,EL | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Surface Mount | -20°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 3 (168 Hours) | DMOS | RoHS Compliant | 2012 | 28-BSOP (0.346, 8.80mm Width) + 2 Heat Tabs | 17 Weeks | Parallel | General Purpose | 4.75V~5.25V | 10V~38V | Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage | Half Bridge (4) | 2A | Bipolar | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MG09ACP18TE | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
SATA III | MG09 | 5°C ~ 55°C | 147.00mm x 101.85mm x 26.10mm | - | 5V, 12V | 18TB | Magnetic Disk (HDD) | - | - | - | 3.5" | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TB6562AFG,8,EL | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Surface Mount | Surface Mount | -20°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 1 (Unlimited) | 85°C | -20°C | DMOS | RoHS Compliant | 2011 | 30-BSOP (0.295, 7.50mm Width) | 14 Weeks | 30 | Parallel | General Purpose | 10V~34V | 30-SSOP | 10V~34V | AND | Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage | Half Bridge (4) | 1.5A | Bipolar | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1314,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Automotive, AEC-Q101 | Surface Mount | SC-70, SOT-323 | USM | 100 mW | 50 V | 100 mA | 500nA | NPN - Pre-Biased | 50 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 1 kOhms | 10 kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TB67S508FTG,EL | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Surface Mount | -20°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 3 (168 Hours) | DMOS | RoHS Compliant | 36-VFQFN Exposed Pad | 17 Weeks | PWM | General Purpose | 2V~5.5V | 10V~35V | Driver | Pre-Driver - Half Bridge (2) | 3A | Bipolar | 1, 1/2, 1/4 | Brushed DC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TB9061AFNG,EL | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Automotive, AEC-Q100 | Surface Mount | -40°C~125°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1 (Unlimited) | Bi-CMOS | RoHS Compliant | 24-LSSOP (0.220, 5.60mm Width) | 14 Weeks | Parallel | General Purpose | 5.5V~18V | Controller - Commutation, Direction Management | Pre-Driver - Half Bridge (3) | Brushless DC (BLDC) |
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