Compare | Image | Name | Manufacturer | Pricing(USD) | Quantity | Weight(Kg) | Size(LxWxH) | Part Status | Type | Series | Mount | Mounting Type | Operating Temperature | Packaging | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Technology | Operating Mode | Input Type | RoHS Status | Published | Datasheet | Package / Case | Lead Free | Number of Terminations | Factory Lead Time | Weight | Number of Pins | Interface | Pbfree Code | Impedance | Additional Feature | Radiation Hardening | Reach Compliance Code | HTS Code | Capacitance @ Frequency | Tolerance | JESD-609 Code | Terminal Finish | Applications | Voltage | Surface Mount | Max Power Dissipation | Voltage - Supply | Terminal Position | Terminal Form | Base Part Number | Operating Temperature (Max) | Operating Temperature (Min) | Number of Channels | Element Configuration | Power Dissipation | Number of Elements | Subcategory | Supplier Device Package | Max Output Voltage | Output Voltage | Forward Current | Forward Voltage | Output Type | Voltage - Load | Max Input Current | Turn On Delay Time | Optoelectronic Device Type | Forward Current-Max | On-State Current-Max | Isolation Voltage-Max | Mounting Feature | Rise Time | Fall Time (Typ) | Turn-Off Delay Time | Continuous Drain Current (ID) | Gate to Source Voltage (Vgs) | Max Reverse Leakage Current | Zener Voltage | Transistor Element Material | Configuration | Case Connection | Transistor Application | Drain to Source Voltage (Vdss) | Test Current | Function | FET Technology | Response Time-Max | Output Configuration | Voltage - Isolation | Power - Max | Power Dissipation-Max | Power Line Protection | Voltage - Breakdown (Min) | Current - Peak Pulse (10/1000μs) | Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | Voltage - Reverse Standoff (Typ) | Unidirectional Channels | Reverse Breakdown Voltage | ESD Protection | Power - Peak Pulse | JEDEC-95 Code | Forward Voltage-Max | Collector Emitter Saturation Voltage | Collector Emitter Voltage (VCEO) | Max Collector Current | Voltage - Forward (Vf) (Typ) | Rise / Fall Time (Typ) | Current - DC Forward (If) (Max) | Reverse Voltage (DC) | Output Current per Channel | Current Transfer Ratio | Current - Output / Channel | Voltage - Output (Max) | Avalanche Energy Rating (Eas) | Impedance-Max | Current - Output | Current Transfer Ratio (Min) | Current Transfer Ratio (Max) | Turn On / Turn Off Time (Typ) | Vce Saturation (Max) | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | Current - Collector (Ic) (Max) | FET Type | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Current - Reverse Leakage @ Vr | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | Motor Type - Stepper | Step Resolution | Motor Type - AC, DC | Current - Collector Cutoff (Max) | Transistor Type | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequency - Transition | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | Vgs (Max) | Resistor - Base (R1) | Resistor - Emitter Base (R2) | Mfr |
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TLP731(D4,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
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download | 1 (Unlimited) | RoHS Compliant | NO | 100°C | -55°C | 1 | Optocoupler - Transistor Outputs | 0.06A | 0.05A | 4000V | THROUGH HOLE MOUNT | 0.00001s | 0.15W | 1.3V | 50% | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK100A10N1,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | $3.37 |
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download | U-MOSVIII-H | Through Hole | Through Hole | 150°C TJ | Tube | Not Applicable | MOSFET (Metal Oxide) | ENHANCEMENT MODE | RoHS Compliant | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tk100a10n1s4x-datasheets-3075.pdf | TO-220-3 Full Pack | 3 | 12 Weeks | 6.000006g | 3 | yes | No | 1 | Single | 1 | 59 ns | 32ns | 45 ns | 140 ns | 100A | 20V | SILICON | ISOLATED | SWITCHING | 100V | 45W Tc | TO-220AB | 222 mJ | N-Channel | 8800pF @ 50V | 3.8m Ω @ 50A, 10V | 4V @ 1mA | 100A Tc | 140nC @ 10V | 10V | ±20V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP532(GR-TP5,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
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download | Tape & Reel (TR) | 1 (Unlimited) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK1K9A60F,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | $0.45 |
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download | U-MOSIX | Through Hole | 150°C | Tube | Not Applicable | MOSFET (Metal Oxide) | RoHS Compliant | 2017 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tk1k9a60fs4x-datasheets-4196.pdf | TO-220-3 Full Pack | 12 Weeks | 600V | 30W Tc | N-Channel | 490pF @ 300V | 1.9 Ω @ 1.9A, 10V | 4V @ 400μA | 3.7A Ta | 14nC @ 10V | 10V | ±30V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP734F(D4-GRL,M,F | Toshiba Semiconductor and Storage |
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download | 1 (Unlimited) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK560P65Y,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | $1.13 |
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download | DTMOSV | Surface Mount | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1 (Unlimited) | MOSFET (Metal Oxide) | RoHS Compliant | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tk560p65yrq-datasheets-1568.pdf | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 16 Weeks | DPAK | 650V | 60W Tc | N-Channel | 380pF @ 300V | 560mOhm @ 3.5A, 10V | 4V @ 240μA | 7A Tc | 14.5nC @ 10V | 10V | ±30V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP627-4(HITOMK,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
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download | 1 (Unlimited) | DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CEZ6V2,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Zener | CEZ | Surface Mount | 150°C (TJ) | SC-79, SOD-523 | 105pF @ 1MHz | General Purpose | ESC | No | 5.8V | 11A (8/20μs) | 10V (Typ) | 6.2V | 1 | 175W | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP781(D4BLL-LF6,F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Surface Mount | -55°C~110°C | 1 (Unlimited) | DC | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-SMD, Gull Wing | 1 | Transistor | 5000Vrms | 1.15V | 2μs 3μs | 60mA | 50mA | 80V | 200% @ 5mA | 400% @ 5mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1307,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Automotive, AEC-Q101 | Surface Mount | SC-70, SOT-323 | SC-70 | 100 mW | 50 V | 100 mA | 500nA | NPN - Pre-Biased | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 10 kOhms | 47 kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP785(D4GL-F6,F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Through Hole | -55°C~110°C | 1 (Unlimited) | DC | RoHS Compliant | 4-DIP (0.300, 7.62mm) | 1 | Transistor | 5000Vrms | 1.15V | 2μs 3μs | 60mA | 50mA | 80V | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN2307,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
- | Surface Mount | SC-70, SOT-323 | SC-70 | 100 mW | 50 V | 100 mA | 500nA | PNP - Pre-Biased | 80 @ 10mA, 5V | 200 MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 10 kOhms | 47 kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP785(D4GB-F6,F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Through Hole | -55°C~110°C | 1 (Unlimited) | DC | RoHS Compliant | 4-DIP (0.300, 7.62mm) | 1 | Transistor | 5000Vrms | 1.15V | 2μs 3μs | 60mA | 50mA | 80V | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN2306,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Automotive, AEC-Q101 | Surface Mount | SC-70, SOT-323 | SC-70 | 100 mW | 50 V | 100 mA | 500nA | PNP - Pre-Biased | 80 @ 10mA, 5V | 200 MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 4.7 kOhms | 47 kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
4N32(SHORT,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Through Hole | Through Hole | -55°C~100°C | Tube | 1 (Unlimited) | 100°C | -55°C | DC | RoHS Compliant | 2001 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-4n32shortf-datasheets-9603.pdf | 6-DIP (0.300, 7.62mm) | 12 Weeks | 6 | No | 250mW | 4N32 | 1 | 250mW | 1 | 6-DIP | 30V | 80mA | 1.5V | Darlington with Base | 80mA | 2500Vrms | 3V | 1V | 30V | 100mA | 1.15V | 80mA | 100mA | 500 % | 100mA | 30V | 500% @ 10mA | 5μs, 100μs (Max) | 1V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN4982FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Automotive, AEC-Q101 | Surface Mount | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100mW | 50V | 100mA | 500nA | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 50 @ 10mA, 5V | 250MHz, 200MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 10kOhms | 10kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TLP281(GB-TP,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Surface Mount | Surface Mount | -55°C~100°C | Tape & Reel (TR) | 1 (Unlimited) | DC | RoHS Compliant | 2007 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2814tpjf-datasheets-3860.pdf | 4-SOIC (0.173, 4.40mm Width) | Lead Free | 4 | UL RECOGNIZED | unknown | e4 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 6V | 200mW | 200mW | 1 | 80V | 80V | 50mA | Transistor | 2μs | 3 μs | SINGLE | 2500Vrms | 5V | 400mV | 80V | 50mA | 1.15V | 2μs 3μs | 5V | 50mA | 100% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3μs, 3μs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN2115,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Automotive, AEC-Q101 | Surface Mount | SC-75, SOT-416 | SSM | 100 mW | 50 V | 100 mA | 500nA | PNP - Pre-Biased | 50 @ 10mA, 5V | 200 MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 2.2 kOhms | 10 kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK208-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Surface Mount | Surface Mount | 125°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1 (Unlimited) | DEPLETION MODE | RoHS Compliant | 2002 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3 | 52 Weeks | 7.994566mg | 3 | LOW NOISE | 8541.21.00.95 | 100mW | DUAL | GULL WING | Single | 1 | 6.5mA | -30V | SILICON | SWITCHING | 10V | JUNCTION | N-Channel | 8.2pF @ 10V | 400mV @ 100nA | 50V | 1.2mA @ 10V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN2905FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Surface Mount | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100mW | 50V | 100mA | 500nA | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) | 80 @ 10mA, 5V | 200MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 2.2kOhms | 47kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CRZ15(TE85L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | $0.41 |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Surface Mount | Surface Mount | -40°C~150°C | Tape & Reel (TR) | 1 (Unlimited) | RoHS Compliant | 2009 | SOD-123F | 12 Weeks | 2 | 30Ohm | ±10% | 700mW | CRZ15 | Single | 10μA | 15V | 10mA | 30Ohm | 10μA @ 10V | 1V @ 200mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN4989FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Surface Mount | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100mW | 50V | 100mA | 500nA | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 70 @ 10mA, 5V | 250MHz, 200MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 47kOhms | 22kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMZ12(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | $0.44 |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Surface Mount | Surface Mount | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1 (Unlimited) | RoHS Compliant | SOD-128 | 12 Weeks | 2 | 30Ohm | ±10% | Single | 10μA | 12V | 10mA | 2W | No | 30Ohm | 10μA @ 8V | 1.2V @ 200mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1104,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Surface Mount | SC-75, SOT-416 | SSM | 100 mW | 50 V | 100 mA | 500nA | NPN - Pre-Biased | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 47 kOhms | 47 kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CRZ43(TE85L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Surface Mount | Surface Mount | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | RoHS Compliant | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-crz47te85lqm-datasheets-4095.pdf | SOD-123F | 2 | 40Ohm | ±10% | 700mW | Single | 10μA | 43V | 7mA | No | 40Ohm | 10μA @ 34.4V | 1V @ 200mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1405,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Automotive, AEC-Q101 | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | S-Mini | 200 mW | 50 V | 100 mA | 500nA | NPN - Pre-Biased | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 2.2 kOhms | 47 kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TB67H400AFNG,EL | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Surface Mount | -20°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 3 (168 Hours) | Power MOSFET | RoHS Compliant | 48-TFSOP (0.240, 6.10mm Width) Exposed Pad | 12 Weeks | Parallel, PWM | General Purpose | 4.75V~5.25V | 10V~47V | Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage | Half Bridge (4) | 6A | Brushed DC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN2406,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
Automotive, AEC-Q101 | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | S-Mini | 200 mW | 50 V | 100 mA | 500nA | PNP - Pre-Biased | 80 @ 10mA, 5V | 200 MHz | 300mV @ 250μA, 5mA | 4.7 kOhms | 47 kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TB62213AFG,C8,EL | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Surface Mount | -20°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1 (Unlimited) | Power MOSFET | RoHS Compliant | 28-BSOP (0.346, 8.80mm Width) + 2 Heat Tabs | 17 Weeks | Parallel | General Purpose | 4.75V~5.25V | 10V~38V | Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage | Half Bridge (4) | 2.4A | Bipolar | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TDTC123J,LM | Toshiba Semiconductor and Storage |
Min: 1 Mult: 1 |
- | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 | 320 mW | 50 V | 100 mA | 500nA | NPN - Pre-Biased | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 300mV @ 500μA, 10mA | 2.2 kOhms | Toshiba Semiconductor and Storage |
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