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ContactMicrosemi(18086)
| Compare | Image | Name | Manufacturer | Pricing(USD) | Quantity | Weight(Kg) | Size(LxWxH) | Part Status | Series | Mount | Mounting Type | Operating Temperature | Packaging | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Technology | Input Type | Height Seated (Max) | RoHS Status | Published | Datasheet | Voltage - Rated DC | Current Rating | Package / Case | Length | Height | Width | Operating Supply Voltage | Lead Free | Depth | Number of Terminations | Factory Lead Time | Weight | Max Supply Voltage | Min Supply Voltage | Number of Pins | Lifecycle Status | Pbfree Code | ECCN Code | Additional Feature | Radiation Hardening | Reach Compliance Code | HTS Code | Packing Method | Number of Functions | Power Rating | Max Input Voltage | JESD-609 Code | Temperature Coefficient | Terminal Finish | Polarity | Surface Mount | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Supply Voltage | Terminal Pitch | Base Part Number | Pin Count | Temperature Grade | Operating Temperature (Max) | Supply Voltage-Max (Vsup) | Analog IC - Other Type | Element Configuration | Accuracy | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Power Dissipation | Number of Elements | Subcategory | Supply Current-Max (Isup) | Qualification Status | JESD-30 Code | Supplier Device Package | Screening Level | Lead/Base Style | Max Output Current | Max Output Voltage | Interface IC Type | RAM Size | Forward Current | Forward Voltage | Output Type | Max Surge Current | Speed Grade | Transistor Element Material | Case Connection | Transistor Application | Polarity/Channel Type | Propagation Delay | Application | Continuous Collector Current | Number of Outputs | Transformer Type | Turns Ratio - Primary:Secondary | Low Level Output Current | Quiescent Current | Speed | Power - Max | Output Voltage 1 | Input Voltage (Min) | Input Voltage (Max) | Diode Element Material | Power Dissipation-Max | Peak Reverse Current | Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) | Peak Non-Repetitive Surge Current | JEDEC-95 Code | Reverse Recovery Time | Recovery Time | Diode Type | Max Reverse Voltage (DC) | Collector Emitter Breakdown Voltage | Collector Emitter Saturation Voltage | Regulator Type | Average Rectified Current | Non-rep Pk Forward Current-Max | Number of Phases | Turn On Time | Output Current-Max | Collector Emitter Voltage (VCEO) | Max Collector Current | Number of Registers | Reverse Voltage (DC) | Topology | Clock Frequency | Organization | Control Mode | Control Technique | Number of Segments | Multiplexed Display Capability | Voltage - Output | Dropout Voltage1-Nom | Load Regulation-Max(%) | Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | Output Voltage1-Max | Voltage Tolerance-Max | Output Voltage1-Min | Output Current1-Max | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | Current - Collector (Ic) (Max) | Programmable Logic Type | Number of Equivalent Gates | Number of CLBs | Turn Off Time-Nom (toff) | Current - Reverse Leakage @ Vr | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | Operating Temperature TJ-Max | Operating Temperature TJ-Min | Test Condition | Frequency - Switching | Gate-Emitter Voltage-Max | Gate-Emitter Thr Voltage-Max | Current - Average Rectified (Io) | Operating Temperature - Junction | Diode Configuration | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | IGBT Type | Gate Charge | Current - Collector Pulsed (Icm) | Td (on/off) @ 25°C | Switching Energy |
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| 5962-9096503MTA | Microsemi |
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download | Surface Mount | 125°C | -55°C | CMOS | 2.54mm | Non-RoHS Compliant | BGA | 16.51mm | 16.51mm | 5V | 84 | 84 | 3A001.A.2.C | No | 8542.39.00.01 | e4 | GOLD (50) OVER NICKEL | QUAD | FLAT | 225 | 5V | 0.635mm | MILITARY | 20 | MIL-STD-883 | 5.5 ns | 273 | 37MHz | 547 CLBS, 1200 GATES | FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY | 1200 | 547 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT2X61D40J | Microsemi |
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download | Chassis Mount, Screw | Chassis Mount | Tube | 1 (Unlimited) | 175°C | -55°C | RoHS Compliant | 1997 | /files/microsemicorporation-apt2x61d40j-datasheets-9738.pdf | 200V | 60A | SOT-227-4, miniBLOC | Lead Free | 4 | 25 Weeks | 4 | IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago) | yes | EAR99 | No | UPPER | UNSPECIFIED | 4 | 2 | 60A | 1.5V | ISOLATED | ULTRA FAST SOFT RECOVERY | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | SILICON | 250μA | 400V | 600A | 37 ns | Standard | 400V | 60A | 1 | 250μA @ 400V | 1.5V @ 60A | 2 Independent | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JM38510/11502BXA | Microsemi | $161.83 |
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Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT33GF120LRDQ2G | Microsemi |
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download | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | Standard | RoHS Compliant | 1999 | /files/microsemicorporation-apt33gf120lrdq2g-datasheets-4685.pdf | 1.2kV | 64A | TO-264-3, TO-264AA | Lead Free | 3 | 38 Weeks | yes | EAR99 | No | e1 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 357W | 3 | Single | 1 | Insulated Gate BIP Transistors | R-PSFM-T3 | SILICON | COLLECTOR | POWER CONTROL | N-CHANNEL | 1.2kV | 31 ns | 1.2kV | 64A | 1200V | 355 ns | 800V, 25A, 4.3 Ω, 15V | 30V | 6.5V | 3V @ 15V, 25A | NPT | 170nC | 75A | 14ns/185ns | 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OSC-3A0-13M000 | Microsemi |
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Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT50GS60BRDLG | Microsemi |
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download | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | 150°C | -55°C | Standard | RoHS Compliant | 1999 | /files/microsemicorporation-apt50gs60brdlg-datasheets-9646.pdf | TO-247-3 | 22 Weeks | No | 415W | Single | TO-247 | 415W | 600V | 600V | 93A | 600V | 93A | 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V | 3.15V @ 15V, 50A | NPT | 235nC | 195A | 16ns/225ns | 755μJ (off) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M1A3P250L-1VQG100I | Microsemi |
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85°C | -40°C | RoHS Compliant | 1.2V | 100 | No | 4.5kB | 1 | 6144 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT30GP60BDQ1G | Microsemi |
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download | POWER MOS 7® | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | Standard | RoHS Compliant | /files/microsemicorporation-apt30gp60bdq1g-datasheets-5039.pdf | 600V | 30A | TO-247-3 | Lead Free | 3 | yes | EAR99 | LOW CONDUCTION LOSS | No | e1 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 463W | 3 | Single | 1 | R-PSFM-T3 | SILICON | COLLECTOR | POWER CONTROL | N-CHANNEL | 463W | 600V | 31 ns | 600V | 100A | 165 ns | 400V, 30A, 5 Ω, 15V | 2.7V @ 15V, 30A | PT | 90nC | 120A | 13ns/55ns | 260μJ (on), 250μJ (off) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M1A3P250-FVQG100 | Microsemi |
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3 (168 Hours) | 70°C | 0°C | CMOS | 1.2mm | RoHS Compliant | 14mm | 14mm | 1.5V | 100 | 100 | No | 8542.39.00.01 | e3 | MATTE TIN | YES | QUAD | GULL WING | 260 | 1.5V | 0.5mm | COMMERCIAL | 1.575V | 40 | 4.5kB | 6144 | 350MHz | FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY | 250000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT45GR65BSCD10 | Microsemi |
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download | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Bulk | 1 (Unlimited) | Standard | RoHS Compliant | 2001 | TO-247-3 | 22 Weeks | 543W | Insulated Gate BIP Transistors | N-CHANNEL | 543W | 80 ns | 650V | 2.4V | 118A | 433V, 45A, 4.3 Ω, 15V | 30V | 6.5V | 2.4V @ 15V, 45A | NPT | 203nC | 224A | 15ns/100ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VCC1-B3E-100M000 | Microsemi |
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Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT44GA60BD30 | Microsemi |
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download | POWER MOS 8™ | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | Standard | RoHS Compliant | 1999 | /files/microsemicorporation-apt44ga60bd30-datasheets-0655.pdf | TO-247-3 | 3 | 29 Weeks | yes | LOW CONDUCTION LOSS | No | e1 | TIN SILVER COPPER | 337W | 3 | Single | 1 | Insulated Gate BIP Transistors | R-PSFM-T3 | SILICON | COLLECTOR | POWER CONTROL | N-CHANNEL | 337W | 600V | 29 ns | 600V | 78A | 208 ns | 400V, 26A, 4.7 Ω, 15V | 30V | 6V | 2.5V @ 15V, 26A | PT | 128nC | 130A | 16ns/84ns | 409μJ (on), 258μJ (off) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SGE2684-1G | Microsemi |
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Surface Mount | RoHS Compliant | 10.5mm | 6mm | Lead Free | 37.1mm | 5 | yes | EAR99 | HEIGHT DIM INCLUDE TERMINAL ALSO | No | TRAY | 6W | Gull Wing | INVERTER TRANSFORMER | 1:60.7 | 1100V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT70GR120B2 | Microsemi |
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download | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | Standard | RoHS Compliant | 2001 | TO-247-3 | 18 Weeks | TO-247 | 961W | 1200V | 160A | 600V, 70A, 4.3Ohm, 15V | 3.2V @ 15V, 70A | NPT | 544nC | 280A | 33ns/278ns | 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZL30159GGG2PROG | Microsemi |
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Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT40GR120B | Microsemi |
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download | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | Standard | RoHS Compliant | 2001 | /files/microsemicorporation-apt40gr120b-datasheets-2499.pdf | TO-247-3 | Lead Free | 18 Weeks | EAR99 | No | 500W | Single | Insulated Gate BIP Transistors | N-CHANNEL | 500W | 1.2kV | 1.2kV | 88A | 1200V | 600V, 40A, 4.3 Ω, 15V | 30V | 6V | 3.2V @ 15V, 40A | NPT | 210nC | 160A | 22ns/163ns | 1.38mJ (on), 906μJ (off) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SG120A-05IG/883B | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
Through Hole | Bulk | BIPOLAR | Non-RoHS Compliant | 3 | no | EAR99 | Yes | 8542.39.00.01 | 1 | e0 | TIN LEAD | SINGLE | NOT SPECIFIED | 3 | NOT SPECIFIED | Not Qualified | R-MSFM-T3 | MIL-STD-883 Class B | 5V | 7V | 25V | FIXED NEGATIVE SINGLE OUTPUT STANDARD REGULATOR | 5.2V | 4.8V | 1.5A | 150°C | -55°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT40GP90BG | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
download | POWER MOS 7® | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | Standard | RoHS Compliant | 1999 | /files/microsemicorporation-apt40gp90bg-datasheets-3009.pdf | 900V | 100A | TO-247-3 | Lead Free | 3 | NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN (Last Updated: 1 month ago) | yes | LOW CONDUCTION LOSS | No | e1 | TIN SILVER COPPER | 543W | 3 | Single | 1 | R-PSFM-T3 | SILICON | COLLECTOR | POWER CONTROL | N-CHANNEL | TO-247AD | 900V | 43 ns | 900V | 100A | 215 ns | 600V, 40A, 5 Ω, 15V | 3.9V @ 15V, 40A | PT | 145nC | 160A | 16ns/75ns | 825μJ (off) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LX1991ILQ-TR | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
Surface Mount | Tape & Reel | 1 | 85°C | -40°C | 1mm | RoHS Compliant | 4mm | 4mm | Lead Free | 16 | 5.5V | 4.5V | 16 | EAR99 | No | 1 | e3 | MATTE TIN | QUAD | 260 | 5V | 0.65mm | 16 | INDUSTRIAL | 40 | 1.5W | LED DISPLAY DRIVER | 31.6mA | 1.5W | 54 | NO | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT25GT120BRDQ2G | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Thunderbolt IGBT® | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | Standard | RoHS Compliant | 1999 | /files/microsemicorporation-apt25gt120brdq2g-datasheets-3844.pdf | 1.2kV | 54A | TO-247-3 | 21.46mm | 5.31mm | 16.26mm | Lead Free | 3 | 29 Weeks | 38.000013g | yes | EAR99 | No | e1 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 347W | 3 | Single | 1 | Insulated Gate BIP Transistors | R-PSFM-T3 | SILICON | COLLECTOR | POWER CONTROL | N-CHANNEL | 54A | 1.2kV | 3.2V | 41 ns | 1.2kV | 54A | 1200V | 186 ns | 800V, 25A, 5 Ω, 15V | 30V | 6.5V | 3.7V @ 15V, 25A | NPT | 170nC | 75A | 14ns/150ns | 930μJ (on), 720μJ (off) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SG140A-05IG/883B | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
Through Hole | Bulk | 125°C | -55°C | BIPOLAR | Non-RoHS Compliant | 3 | OBSOLETE (Last Updated: 1 month ago) | no | EAR99 | Yes | not_compliant | 1 | 35V | e0 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Positive | SINGLE | NOT SPECIFIED | 3 | 1.5 % | NOT SPECIFIED | Other Regulators | Not Qualified | R-XSFM-T3 | MIL-STD-883 Class B | Fixed | 1 | 6mA | 5V | 5V | 2V | 0.025% | 4% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTDF400AA170G | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Chassis Mount, Screw | Chassis Mount | Bulk | 1 (Unlimited) | 150°C | -40°C | RoHS Compliant | 2006 | /files/microsemicorporation-aptdf400aa170g-datasheets-7269.pdf | LP4 | Lead Free | 3 | 36 Weeks | 4 | IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago) | yes | EAR99 | No | e1 | TIN SILVER COPPER | UPPER | UNSPECIFIED | 3 | Common Anode | 2 | Rectifier Diodes | R-XUFM-X3 | 480A | 2.5V | ISOLATED | ULTRA FAST RECOVERY POWER | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | SILICON | 750μA | 1.7kV | 1.5kA | 572 ns | Standard | 1.7kV | 480A | 1 | 1700V | 750μA @ 1700V | 2.5V @ 400A | 1 Pair Common Anode | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SG1524L/883B | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
Surface Mount | Bulk | 125°C | -55°C | Non-RoHS Compliant | 20 | 20 | OBSOLETE (Last Updated: 1 month ago) | no | EAR99 | Yes | 8542.39.00.01 | 1 | QUAD | NO LEAD | 20 | MILITARY | SWITCHING CONTROLLER | 10mA | Not Qualified | 8V | 40V | 0.1A | Push-Pull | VOLTAGE-MODE | PULSE WIDTH MODULATION | 300kHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S8-4150/TR13 | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Surface Mount | Surface Mount | Tape & Reel (TR) | 1 (Unlimited) | 150°C | -55°C | Non-RoHS Compliant | 1999 | /files/microsemicorporation-s84150e3tr13-datasheets-0259.pdf | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 16 Weeks | 8 | No | S8-4150 | 8-SOIC | 400mA | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1μA | 75V | 2A | 4 ns | Standard | 50V | 400mA | 50V | 100nA @ 50V | 1V @ 200mA | 400mA DC | -55°C~150°C | 4 Independent | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SG3503DM | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Surface Mount | 70°C | 0°C | RoHS Compliant | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemi-sg3503dm-datasheets-6503.pdf | SOIC | 8 | IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago) | 40V | 10 ppm/°C | 10mA | 2.5V | 2.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT2X60DQ60J | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Chassis Mount | Tube | 1 (Unlimited) | RoHS Compliant | 1997 | /files/microsemicorporation-apt2x60dq60j-datasheets-1173.pdf | SOT-227-4, miniBLOC | 22 Weeks | ISOTOP® | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 160ns | Standard | 600V | 25μA @ 600V | 2.3V @ 60A | 60A | 2 Independent | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VCC6-QCC-125M000 | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT2X61DQ60J | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Chassis Mount, Screw | Chassis Mount | Tube | 1 (Unlimited) | 175°C | -55°C | RoHS Compliant | 1997 | /files/microsemi-apt2x61dq60j-datasheets-3670.pdf | 600V | 60A | SOT-227-4, miniBLOC | 38.2mm | 9.6mm | 25.4mm | Lead Free | 4 | 25 Weeks | 30.000004g | 4 | IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago) | no | No | UPPER | UNSPECIFIED | 4 | 2 | Other Diodes | 60A | 1.7V | 600A | ISOLATED | ULTRA FAST SOFT RECOVERY | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | SILICON | 25μA | 600V | 600A | 160 ns | 27 ns | Standard | 600V | 60A | 1 | 600V | 25μA @ 600V | 2.3V @ 60A | 2 Independent | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3135GN-100M | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT40DQ120BCTG | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Radial, Through Hole | Through Hole | Tube | 1 (Unlimited) | RoHS Compliant | 2005 | /files/microsemicorporation-apt40dq120bctg-datasheets-6234.pdf | 1.2kV | 40A | TO-247-3 | Lead Free | 3 | yes | FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW NOISE, SNUBBER DIODE | 8541.10.00.80 | e1 | TIN SILVER COPPER | SINGLE | NOT SPECIFIED | 3 | 175°C | Common Cathode | NOT SPECIFIED | 2 | Rectifier Diodes | Not Qualified | R-PSFM-T3 | ULTRA FAST SOFT RECOVERY | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | SILICON | 350 ns | Standard | 1.2kV | 40A | 210A | 1 | 1200V | 100μA @ 1200V | 3.3V @ 40A | -55°C~175°C | 1 Pair Common Cathode |
