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ContactMicrosemi(18086)
| Compare | Image | Name | Manufacturer | Pricing(USD) | Quantity | Weight(Kg) | Size(LxWxH) | Part Status | Series | Mount | Mounting Type | Operating Temperature | Packaging | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Max Operating Temperature | Min Operating Temperature | Technology | Operating Mode | Input Type | Height Seated (Max) | RoHS Status | Published | Datasheet | Voltage - Rated DC | Current Rating | Package / Case | Length | Height | Width | Operating Supply Voltage | Lead Free | Number of Terminations | Factory Lead Time | Weight | Number of Pins | Lifecycle Status | Pbfree Code | ECCN Code | Additional Feature | Radiation Hardening | HTS Code | Packing Method | Number of Functions | Physical Dimension | Power Rating | Max Input Voltage | JESD-609 Code | Terminal Finish | Polarity | Surface Mount | Max Power Dissipation | Terminal Position | Terminal Form | Peak Reflow Temperature (Cel) | Supply Voltage | Terminal Pitch | Pin Count | Temperature Grade | Operating Temperature (Max) | Operating Temperature (Min) | Supply Voltage-Max (Vsup) | Supply Voltage-Min (Vsup) | Element Configuration | Accuracy | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | Power Dissipation | Number of Elements | Subcategory | Power Supplies | Voltage Gain | Gain | Qualification Status | JESD-30 Code | Supplier Device Package | Screening Level | Max Output Current | Inductance | RAM Size | Forward Current | Forward Voltage | Output Type | Turn On Delay Time | Max Surge Current | Speed Grade | Rise Time | Fall Time (Typ) | Turn-Off Delay Time | Continuous Drain Current (ID) | Gate to Source Voltage (Vgs) | Max Dual Supply Voltage | Gain Bandwidth Product | Transistor Element Material | Configuration | Case Connection | Transistor Application | Polarity/Channel Type | Drain to Source Voltage (Vdss) | Common Mode Rejection Ratio | Min Dual Supply Voltage | Application | Continuous Collector Current | FET Technology | Frequency (Max) | Number of Outputs | Transformer Type | Turns Ratio - Primary:Secondary | Quiescent Current | Speed | Power - Max | Output Voltage 1 | Input Voltage (Min) | Input Voltage (Max) | Highest Frequency Band | Diode Element Material | Power Dissipation-Max | Max Forward Surge Current (Ifsm) | Peak Reverse Current | Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) | Peak Non-Repetitive Surge Current | JEDEC-95 Code | Reverse Test Voltage | Reverse Recovery Time | Recovery Time | Diode Type | Max Reverse Voltage (DC) | Collector Emitter Breakdown Voltage | Collector Emitter Saturation Voltage | Regulator Type | Average Rectified Current | Number of Phases | Turn On Time | Collector Emitter Voltage (VCEO) | Max Collector Current | Number of Registers | Reverse Voltage (DC) | Number of Inputs | Clock Frequency | Organization | Drain-source On Resistance-Max | Voltage - Output | Dropout Voltage1-Nom | Output Voltage Accuracy | Load Regulation-Max(%) | Line Regulation-Max (%/V) | Avalanche Energy Rating (Eas) | Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | Output Voltage1-Max | Output Voltage1-Min | Output Current1-Max | DC Resistance (DCR) - Parallel | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | Current - Collector (Ic) (Max) | Programmable Logic Type | Number of Logic Cells | Number of Equivalent Gates | Number of CLBs | Turn Off Time-Nom (toff) | Current - Reverse Leakage @ Vr | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | Input-Output Voltage Differential-Max | Input-Output Voltage Differential-Min | Operating Temperature TJ-Max | Operating Temperature TJ-Min | Test Condition | Gate-Emitter Voltage-Max | Gate-Emitter Thr Voltage-Max | Operating Temperature - Junction | Diode Configuration | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | IGBT Type | Gate Charge | Current - Collector Pulsed (Icm) | Td (on/off) @ 25°C | Switching Energy | Frequency - Transition | Voltage Reference | Rds On Max | Combinatorial Delay of a CLB-Max | Capacitance - Input |
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| MSDM50-16 | Microsemi |
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download | Chassis Mount, Screw | Chassis Mount | -40°C~150°C TJ | Bulk | 1 (Unlimited) | Standard | RoHS Compliant | 2011 | Module | 5 | 22 Weeks | 5 | No | UPPER | UNSPECIFIED | 5 | Single | 1 | 50A | 1.8V | ISOLATED | SILICON | 300μA | 1.6kV | 460A | Three Phase | 3 | 300μA @ 1600V | 1.8V @ 150A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDTDCP-32M768 | Microsemi |
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Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT10DC120HJ | Microsemi |
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download | Chassis Mount, Screw | Chassis Mount | -55°C~175°C TJ | Bulk | 1 (Unlimited) | Silicon Carbide Schottky | RoHS Compliant | 1997 | SOT-227-4, miniBLOC | 4 | 22 Weeks | 4 | EAR99 | No | UPPER | UNSPECIFIED | 4 | Single | 1 | Bridge Rectifier Diodes | 10A | 1.8V | ISOLATED | 200μA | 1.2kV | 250A | Single Phase | 1 | 200μA @ 1200V | 1.8V @ 10A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2731-100M | Microsemi |
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download | Chassis Mount, Screw | Bulk | 200°C | -65°C | RoHS Compliant | 2004 | /files/microsemi-2731100m-datasheets-4102.pdf | 2 | 12 Weeks | 3 | IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago) | HIGH RELIABILTY, WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS | No | DUAL | FLAT | 2 | 1 | Other Transistors | 9.4 dB | R-CDFM-F2 | SINGLE | BASE | AMPLIFIER | NPN | 3.1GHz | S B | 575W | 65V | 65V | 15A | 3.1GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSD100-18 | Microsemi |
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download | Chassis Mount, Screw | Chassis Mount | -40°C~150°C TJ | Bulk | 1 (Unlimited) | Standard | RoHS Compliant | 2009 | /files/microsemicorporation-msd10012-datasheets-9111.pdf | M3 | 5 | 22 Weeks | 5 | EAR99 | No | UPPER | UNSPECIFIED | 5 | Single | 1 | Bridge Rectifier Diodes | 100A | 1.9V | SILICON | 300μA | 1.8kV | 920A | Three Phase | 3 | 300μA @ 1800V | 1.9V @ 300A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SG120-5.2K-883B | Microsemi |
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Through Hole | Bulk | 125°C | -55°C | BIPOLAR | Non-RoHS Compliant | TO-3 | 2 | OBSOLETE (Last Updated: 1 month ago) | no | EAR99 | No | 1 | -35V | e0 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Negative | BOTTOM | PIN/PEG | 2 | O-MBFM-P2 | MIL-STD-883 Class B | 1.5A | Fixed | 1 | 2mA | 5.2V | -5.2V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSD75-18 | Microsemi |
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download | Chassis Mount, Screw | Chassis Mount | -40°C~150°C TJ | Bulk | 1 (Unlimited) | Standard | RoHS Compliant | 1997 | /files/microsemicorporation-msd7516-datasheets-8694.pdf | M2 | 5 | 22 Weeks | 5 | EAR99 | No | UPPER | UNSPECIFIED | 5 | Single | 1 | Bridge Rectifier Diodes | 75A | 1.6V | SILICON | 300μA | 1.8kV | 750A | Three Phase | 3 | 300μA @ 1600V | 1.6V @ 150A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SG117R/DESC | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
Through Hole | 125°C | -55°C | BIPOLAR | Non-RoHS Compliant | TO-66 | 2 | OBSOLETE (Last Updated: 1 month ago) | no | EAR99 | No | 1 | 37V | e0 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Positive | BOTTOM | PIN/PEG | 2 | 1 % | 20W | Other Regulators | O-MBFM-P2 | 38535Q/M;38534H;883B | Adjustable | 1 | 20W | 3V | 1 % | 1% | 0.05 | 40V | 3V | 1.3V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT2X61S20J | Microsemi |
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download | Chassis Mount, Screw | Chassis Mount | Tube | 1 (Unlimited) | 150°C | -55°C | RoHS Compliant | 1997 | /files/microsemicorporation-apt2x61s20j-datasheets-4861.pdf | 200V | 75A | ISOTOP | 38.2mm | 9.6mm | 25.4mm | Lead Free | 4 | 25 Weeks | 30.000004g | 4 | IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago) | no | EAR99 | No | UPPER | UNSPECIFIED | 4 | 2 | Other Diodes | 75A | 900mV | ISOLATED | HIGH VOLTAGE ULTRA FAST SOFT RECOVERY | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | SILICON | 600A | 1mA | 200V | 600A | 55 ns | Schottky | 200V | 75A | 1 | 200V | 1mA @ 200V | 900mV @ 60A | 2 Independent | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SG143Y-883B | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
Through Hole | 125°C | -55°C | Non-RoHS Compliant | CDIP | 8 | No | 105.11dB | 40V | 1MHz | 80 dB | 4V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT2X101DQ100J | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Chassis Mount, Screw | Chassis Mount | Tube | 1 (Unlimited) | 175°C | -55°C | RoHS Compliant | 1997 | /files/microsemicorporation-apt2x101dq100j-datasheets-9666.pdf | 1kV | 100A | SOT-227-4, miniBLOC | 38.2mm | 9.6mm | 25.4mm | Lead Free | 4 | 25 Weeks | 30.000004g | 4 | IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago) | yes | No | e1 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | UPPER | UNSPECIFIED | 4 | 2 | Other Diodes | 100A | 2.7V | 1kA | ISOLATED | ULTRA FAST SOFT RECOVERY | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | SILICON | 100μA | 1kV | 1kA | 1000V | 290 ns | 290 ns | Standard | 1kV | 100A | 1 | 1kV | 1000V | 100μA @ 1000V | 2.7V @ 100A | -55°C~175°C | 2 Independent | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RT3PE3000L-CQ256B | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
CMOS | 3.3mm | Non-RoHS Compliant | 36mm | 36mm | 256 | 8542.39.00.01 | e0 | Tin/Lead (Sn/Pb) | YES | QUAD | FLAT | 1.2V | 0.5mm | MILITARY | 125°C | -55°C | 1.575V | 1.14V | Field Programmable Gate Arrays | 1.2/1.51.2/3.3V | Not Qualified | S-CQFP-F256 | MIL-STD-883 Class B | 250MHz | 75264 CLBS, 3000000 GATES | FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY | 75264 | 3000000 | 75264 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT15GP60KG | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
download | POWER MOS 7® | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | Standard | RoHS Compliant | 2005 | /files/microsemicorporation-apt15gp60kg-datasheets-4680.pdf | 600V | 56A | TO-220-3 | Lead Free | 3 | yes | LOW CONDUCTION LOSS | No | e1 | TIN SILVER COPPER | 250W | 3 | Single | 1 | R-PSFM-T3 | SILICON | COLLECTOR | POWER CONTROL | N-CHANNEL | TO-220AB | 600V | 20 ns | 600V | 56A | 157 ns | 400V, 15A, 5 Ω, 15V | 2.7V @ 15V, 15A | PT | 55nC | 65A | 8ns/29ns | 130μJ (on), 121μJ (off) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT8020LFLLG | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
Through Hole | 150°C | -55°C | ENHANCEMENT MODE | RoHS Compliant | 800V | 38A | TO-264-3 | Lead Free | 3 | yes | No | e1 | TIN SILVER COPPER | SINGLE | 3 | 694W | 1 | R-PSFM-T3 | 12 ns | 14ns | 9 ns | 39 ns | 38A | 30V | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | 800V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 694W | TO-264AA | 0.22Ohm | 3000 mJ | 220 mΩ | 5.2nF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT44GA60B | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
download | POWER MOS 8™ | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | Standard | RoHS Compliant | 1999 | /files/microsemicorporation-apt44ga60b-datasheets-9128.pdf | TO-247-3 | 3 | 22 Weeks | yes | LOW CONDUCTION LOSS | No | e1 | TIN SILVER COPPER | 337W | 3 | Single | 1 | Insulated Gate BIP Transistors | R-PSFM-T3 | SILICON | COLLECTOR | POWER CONTROL | N-CHANNEL | 337W | 600V | 29 ns | 600V | 78A | 208 ns | 400V, 26A, 4.7 Ω, 15V | 30V | 6V | 2.5V @ 15V, 26A | PT | 128nC | 130A | 16ns/84ns | 409μJ (on), 258μJ (off) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M1A3P250L-1PQG208 | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
70°C | 0°C | RoHS Compliant | PQFP | 1.2V | 208 | No | 4.5kB | 1 | 6144 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT25GT120BRG | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Thunderbolt IGBT® | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | Standard | RoHS Compliant | 1999 | /files/microsemicorporation-apt25gt120brg-datasheets-4695.pdf | 1.2kV | 54A | TO-247-3 | 21.46mm | 5.31mm | 16.26mm | Lead Free | 3 | 24 Weeks | 38.000013g | yes | EAR99 | No | e1 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 347W | 3 | Single | 1 | R-PSFM-T3 | SILICON | COLLECTOR | POWER CONTROL | N-CHANNEL | 54A | TO-247AA | 1.2kV | 3.2V | 41 ns | 1.2kV | 54A | 1200V | 220 ns | 800V, 25A, 5 Ω, 15V | 3.7V @ 15V, 25A | NPT | 170nC | 75A | 14ns/150ns | 930μJ (on), 720μJ (off) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RT1425A-CQ132B | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
CMOS | 2.9464mm | Non-RoHS Compliant | 24.13mm | 24.13mm | 132 | 3A001.A.2.C | 8542.39.00.01 | e0 | TIN LEAD | YES | QUAD | FLAT | NOT SPECIFIED | 5V | 0.635mm | MILITARY | 125°C | -55°C | 5.5V | 4.5V | NOT SPECIFIED | Field Programmable Gate Arrays | 5V | Not Qualified | S-CQFP-F132 | 38535Q/M;38534H;883B | 100 | 100 | 100MHz | 310 CLBS, 5000 GATES | FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY | 310 | 5000 | 310 | 3.5 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT70GR65B2SCD30 | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Bulk | 1 (Unlimited) | RoHS Compliant | 2001 | TO-247-3 | 22 Weeks | 595W | T-MAX™ [B2] | 595W | 650V | 2.4V | 134A | 650V | 134A | 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V | 2.4V @ 15V, 70A | NPT | 305nC | 260A | 19ns/170ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SG7908AR-DESC | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
Through Hole | 125°C | -55°C | Non-RoHS Compliant | 3 | OBSOLETE (Last Updated: 1 month ago) | No | -35V | Negative | 1.5 % | 1.5A | Fixed | 1 | -8V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT50GN60BDQ2G | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Through Hole | Through Hole | -55°C~175°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | Standard | RoHS Compliant | 1999 | /files/microsemicorporation-apt50gn60bdq2g-datasheets-0648.pdf | 600V | 107A | TO-247-3 | 21.46mm | 5.31mm | 16.26mm | Lead Free | 3 | 25 Weeks | 38.000013g | yes | EAR99 | No | e1 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 366W | 3 | Single | 1 | Insulated Gate BIP Transistors | R-PSFM-T3 | 20 ns | 230 ns | SILICON | COLLECTOR | POWER CONTROL | N-CHANNEL | 107A | TO-247AD | 600V | 1.5V | 45 ns | 600V | 107A | 400 ns | 400V, 50A, 4.3 Ω, 15V | 30V | 6.5V | 1.85V @ 15V, 50A | Trench Field Stop | 325nC | 150A | 20ns/230ns | 1185μJ (on), 1565μJ (off) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SGE2661-3G | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
Surface Mount | RoHS Compliant | 30.5mm | 6mm | 10.5mm | Lead Free | yes | EAR99 | HEIGHT DIM INCLUDE TERMINAL ALSO | No | TRAY | L30.5XB10.5XH6.0 (mm) | 6W | 66 μH | INVERTER TRANSFORMER | 1:70.8 | 1100V | 75MOhm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT64GA90LD30 | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
download | POWER MOS 8™ | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | Standard | RoHS Compliant | 1999 | /files/microsemicorporation-apt64ga90ld30-datasheets-0837.pdf | TO-264-3, TO-264AA | 26.49mm | 5.21mm | 20.5mm | 3 | 29 Weeks | 10.6g | yes | EAR99 | LOW CONDUCTION LOSS | No | e1 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 500W | 3 | Single | 1 | R-PSFM-T3 | SILICON | COLLECTOR | POWER CONTROL | N-CHANNEL | 117A | 900V | 2.5V | 44 ns | 900V | 117A | 352 ns | 600V, 38A, 4.7 Ω, 15V | 3.1V @ 15V, 38A | PT | 162nC | 193A | 18ns/131ns | 1192μJ (on), 1088μJ (off) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SGE2686-1 | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
Surface Mount | Bulk | Non-RoHS Compliant | 17.5mm | 5.1mm | 11.1mm | yes | EAR99 | HEIGHT DIM INCLUDES TERMINAL ALSO | No | TRAY | L17.5XB11.1XH5.1 (mm) | 4W | INVERTER TRANSFORMER | 1:50 | 1000V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT100GN120B2G | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | Standard | RoHS Compliant | 1999 | /files/microsemicorporation-apt100gn120b2g-datasheets-2325.pdf | TO-247-3 Variant | Lead Free | 3 | 24 Weeks | 3 | yes | HIGH RELIABILITY | No | e1 | TIN SILVER COPPER | 960W | 3 | Single | 1 | Insulated Gate BIP Transistors | 50 ns | 615 ns | SILICON | COLLECTOR | POWER CONTROL | N-CHANNEL | 960W | 1.2kV | 100 ns | 1.2kV | 245A | 1200V | 935 ns | 800V, 100A, 1 Ω, 15V | 6.5V | 2.1V @ 15V, 100A | Trench Field Stop | 540nC | 300A | 50ns/615ns | 11mJ (on), 9.5mJ (off) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SG217K | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
Through Hole | Bulk | 85°C | -25°C | Non-RoHS Compliant | OBSOLETE (Last Updated: 1 month ago) | No | 37V | Positive | 1 % | Adjustable | 1 | 20W | 1.3V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT95GR65B2 | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | Standard | RoHS Compliant | 2001 | /files/microsemicorporation-apt95gr65b2-datasheets-3088.pdf | TO-247-3 | 35 Weeks | 892W | T-MAX™ [B2] | 892W | 650V | 2.4V | 208A | 650V | 208A | 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V | 2.4V @ 15V, 95A | NPT | 420nC | 400A | 29ns/226ns | 3.12mJ (on), 2.55mJ (off) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SG120A-18IG/883B | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
Through Hole | BIPOLAR | Non-RoHS Compliant | 3 | no | EAR99 | Yes | 8542.39.00.01 | 1 | e0 | TIN LEAD | SINGLE | NOT SPECIFIED | 3 | NOT SPECIFIED | Not Qualified | R-MSFM-T3 | MIL-STD-883 Class B | 18V | 21V | 33V | FIXED NEGATIVE SINGLE OUTPUT STANDARD REGULATOR | 18.6V | 17.4V | 1.5A | 150°C | -55°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT85GR120L | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
download | Through Hole | Through Hole | -55°C~150°C TJ | Tube | 1 (Unlimited) | Standard | RoHS Compliant | 2001 | /files/microsemicorporation-apt85gr120b2-datasheets-2509.pdf | TO-264-3, TO-264AA | Lead Free | 21 Weeks | EAR99 | No | 962W | Single | 962W | 1.2kV | 3.2V | 170A | 1200V | 600V, 85A, 4.3 Ω, 15V | 3.2V @ 15V, 85A | NPT | 660nC | 340A | 43ns/300ns | 6mJ (on), 3.8mJ (off) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VXB1-1D1-12M000 | Microsemi |
Min: 1 Mult: 1 |
Non-RoHS Compliant |
